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半導體材料電阻檢測設備-日本napson便攜式電阻檢測儀EC-80P
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與半導體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)